2008年11月21日，德国Neubiberg与美国爱达荷州博伊西讯——芯片卡集成电路全球领先供应商英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）与高级内存半导体解决方案全球领先供应商之一美光科技公司（NYSE：MU）近期宣布双方将通过战略性技术合作，开发存储容量超过128MB的高密度用户识别模块（HD-SIM）卡。

HD-SIM卡是扩大存储容量，提高服务水平，同时改善运营商操作的理想产品。高密度与改进的安全功能有机结合，使运营商能够提供多种图形丰富的增值服务，例如移动银行与非接触式移动票务等。此外，运营商可通过自己的无线网络安全地更新或删除各种应用，同时也可随时将新应用、服务和设置下载或存储至高密度SIM卡中，确保快速上市。不过，功能增多也意味着SIM卡的存储解决方案需要不断发展，以便充分利用更快的处理与通信速度，最终提供这些应用所需的更高的存储容量。

为了满足这些需求，英飞凌与美光将携手开发一种创新型高密度解决方案。双方在技术领域实现密切合作，充分利用各自的专业技术制造模块化芯片解决方案，将英飞凌安全微控制器与美光特性丰富的创新NAND闪存（专门针对高密度SIM卡应用设计）有机结合在一起。美光将采用50nm和34nm工艺制造NAND闪存。这种组合解决方案经过专门设计，可高效集成至高密度SIM卡，使SIM卡的容量突破128MB，同时提供多种全新特性，包括：

－高密度。 串行NAND闪存提供最经济有效的解决方案，使高密度SIM卡存储容量达到或超过128 MB。

－ECC（误码纠正）电路：内置于美光NAND闪存中，降低高密度SIM卡微控制器的数据错误纠正负担，简化整个安全设计。

－卓越电源管理：经过专门设计，满足欧洲电信标准协会（ETSI）的要求。英飞凌/美光高密度SIM卡解决方案的工作电压范围为1.8V至3.3V，符合ETSI的低工作电流要求。

－轻松迁移：安全微控制理念包括一个优化的经济高效的封装解决方案，方便在NOR技术和NAND技术之间实现轻松迁移，原因是它具备对准的应用编程接口（API）和相关软件栈。此外，针对现有SIM卡开发的操作系统软件可轻松实现重复使用。

美光公司高级营销主管Bill Lauer指出：“对更强键的存储和应用的需求正推动移动市场步入新的阶段。美光素以世界一流的技术和NAND创新而著称；如今，我们致力于开发战略性存储解决方案，远远超越一种尺寸适用所有型号的时代。我们与英飞凌携手开发的高密度SIM卡组合解决方案可提供较以往产品更高的存储密度，我们相信这种技术将会源源不断地为移动市场带来令人欣喜的崭新应用。”

英飞凌公司副总裁兼芯片卡与安全业务部总经理Helmut Gassel博士指出：“英飞凌预计未来的SIM卡将能够完成音频和视频的海量存储，甚至代替闪存卡。英飞凌致力于使整个高密度SIM卡市场由几兆字节发展至2吉字节，提供理想的性能和安全水平。我们的客户——芯片卡厂商和移动网络运营商——都将受益于我们智能化高密度SIM卡半导体理念，不仅能从NOR技术迁移至NAND技术，而且能控制研发成本，最大程度减少高密度SIM卡平台的认证工作。这为新兴高密度SIM卡市场带来更大灵活性，方便其快速应用于各种场合。”

产品原型预计将于2009年秋季开始供货，届时将以裸晶形式提供或采用经济型芯片卡IC封装。