为贯彻落实党的二十大精神，集聚力量进行原创性引领性科技攻关，坚决打赢关键核心技术攻坚战。近日，智新科技旗下智新半导体有限公司召开IGBT模块二期生产线建设启动会，这是公司支撑东风公司新能源汽车事业发展，聚焦抢占新能源汽车制高点，着力推进“卡脖子”技术攻关，打造安全稳定的新能源汽车产业链供应链的重要举措，为公司“3216”战略目标的实现奠定了基础。

IGBT模块，又称车规级功率半导体模块，是新能源汽车电控系统上的核心零部件之一。目前一期年产能达到30万只，已为东风新能源汽车产业补上了关键一链。在稳定日常生产的同时，技术也在不断创新升级。智新半导体已成功研制出IGBT的升级产品——电压能力为1200V的宽禁带半导体的碳化硅功率模块。作为第三代半导体，可实现更低损耗、更高效率，并且能承受更高温度和更高的电压。

根据二期建设整体规划，项目总投资2.8亿元，智新半导体将分两条产线先后建设。该项目继续沿用一期成熟的工艺路线，同时新增一批特有设备，实现塑封模块的批量生产能力，满足未来第三代半导体的功率模块批量封测需求。二期全部建成后，IGBT模块生产线年产能将达到120万只，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货，具有良好的经济效益和社会效益。