随着汽车产业向电动化、智能化和软件定义加速演进，电子电气架构持续升级，车规级芯片在算力、功耗、安全、可靠性及软硬件生态等方面面临更高要求。

《汽车制造业》本期“车规级芯片”热点访谈，邀请五家代表性半导体企业专家，围绕汽车电子电气架构与软件定义汽车趋势，探讨芯片技术路线、产品布局及量产应用，聚焦高性能计算、功率半导体、功能安全与供应链协同等热点话题。

受访人：张青

安森美模拟与混合信号事业群汽车事业部资深专家

受访人：彭超

安森美中国区汽车现场应用工程经理

AI：面向汽车电动化、智能化以及电子电气架构演进趋势，安森美如何围绕智能电源与智能感知构建车规芯片产品体系？

安森美：面对中国市场从电动化、智能化到区域化架构演进的多重并发需求，安森美并非提供单一器件，而是围绕智能电源与智能感知两大支柱，构建覆盖电驱、配电、通信、照明与感知等关键环节的系统级产品组合。

在智能电源领域，安森美的EliteSiC系列是应对高压电气化趋势的重要技术方向之一，其应用覆盖从牵引逆变器到车载充电机（OBC）、再到高压－低压直流转换器的技术应用链条，在提升电能转换效率、优化续航表现以及缩短充电时间等方面，展现出出色的性能优势。此外，安森美在中低压绝缘栅MOSFET市场也处于领先地位，最新一代T10技术尤其适用于线控底盘、智能配电等对大电流和高可靠性有较高要求的应用场景。某率先采用线控底盘技术的国产豪华轿车就选用了安森美的T10MOSFET产品。同时，安森美还提供SmartFET及电子保险丝（eFuse）等产品，以及与EliteSiC配合的栅极驱动器等产品，支持从传统的配电盒向智能化、可软件定义的区域配电架构转型。

在智能感知领域，安森美提供包括用于ADAS的800万像素高分辨率图像传感器、超声波传感器、电感式位置传感器及雨量/光线传感器等在内的多元化产品。这些感知器件覆盖了车辆对周围环境、舱内状态及自身位置状态的感知需求，可根据不同车型的智能驾驶等级与功能定义进行灵活配置。

同时，围绕区域控制架构的快速普及，安森美在车载网络方面重点推进10BASE-T1S以太网方案以及RCP（Remote Control Protocol）协议，旨在将以太网的统一协议从主干网延伸至照明、传感器等边缘节点，减少传统CAN/LIN协议转换带来的系统开销和成本负担。

安森美的Treo模拟混合信号平台通过可复用的模拟、数字和电源IP模块，支持栅极驱动器、SmartFET、车载LED驱动器、传感器及10BASE-T1S以太网等多类汽车产品开发。其模块化平台能力有助于提升集成度、优化性能与成本，并帮助不同主机厂按照自身节奏推进架构演进、缩短产品开发和上市周期。

目前，安森美的产品已和中国多家车企建立长期合作关系。ADAS方面，安森美为客户提供了一项独特的视觉感知解决方案－通过巧妙布置在车身四周的传感器采集数据，并进行实时的图像拼接处理，最终在车内屏幕上生成一个仿佛从车顶俯瞰的360˚全景视角。这极大提升了泊车等场景的便捷性与安全性。动力总成方面，安森美的EliteSiC碳化硅解决方案已经被蔚来、吉利等新能源车企采用，以帮助客户充分发挥高电压平台在续航表现与充电速率方面的潜在优势。

AI：从器件供应到系统方案，车规芯片企业需要具备哪些能力？

安森美：当前车规芯片研发与量产最大的技术门槛，已从单一的器件性能达标，演变为系统级的协同定义、验证与交付能力。随着电子电气架构逐步从域控转向中央计算+区域控制演进，芯片需要与整车通信、配电、感知和计算四大子系统深度协同定义。这种“从器件供应商到系统方案伙伴”的角色转换，对芯片企业的架构理解力、车规验证积累和跨域整合能力提出了更高的要求。

面向下一代架构，行业还需突破多项共性瓶颈：一是以太网向边缘延伸，如何将10BASE-T1S等通信协议下沉至车灯、传感器等末端节点，同时满足严苛

EMC要求，是紧迫的工程挑战；二是智能配电升级，区域控制器需用eFuse替代传统继电器，实现精细化、可诊断的配电管理；三是高压功率平台代际演进，整车向800V/900V平台推进，对功率器件的耐压、能效与热管理提出系统性挑战；四是跨系统验证复杂度指数级上升，各OEM演进路径不一，亟需经过验证、可复用的系统级方案。

安森美以自研Treo 65nm BCD模拟混合信号平台为统一技术底座，结合先进的10BASE-T1S以太网架构、无MCU智能照明方案、eFuse智能配电以及多品类车规传感器，以高度集成的产品组合助力客户平滑转型并降低验证成本。

AI：在800V高压平台与区域控制架构发展下，功率半导体技术将如何演进？

安森美：中国车规芯片市场的竞争已从单一器件的性能比拼升级为系统级解决方案与生态协同能力的全面较量。随着智能化、电气化需求不断升级，仅仅提供同质化的产品或者单纯的“价格内卷”是不可持续的，真正的壁垒在于能否帮助客户实现系统总成本的优化与功率密度的持续提升。

例如，在功率半导体领域，核心焦点已从SiCMOSFET耐压等级与样品节奏转向从衬底到模块的垂直整合能力、8英寸晶圆的成熟度，以及800～900V高压平台下的系统级能效表现。同时，技术路线也在加速分化与互补——碳化硅主攻主驱逆变和高压配电等核心链路，氮化镓凭借高频优势补位OBC、DC/DC等对功率密度和体积有要求的场景，而IGBT和超结MOSFET继续服务混动及成本敏感平台。这不是简单的材料替代，而是基于整车架构需求的多层次技术组合。安森美是业界鲜少能够提供“硅、碳化硅、氮化镓和垂直氮化镓”四种技术路线的公司，我们通过整合碳化硅、氮化镓、IGBT及超结MOSFET等多元功率器件，提供集成化、可扩展的电源架构，帮助主机厂在有限的安装空间内实现更高的电能转换效率，并提升整车续航能力。

在模拟与混合信号芯片领域，竞争焦点从单一产品竞争逐渐转向平台化创新能力的竞争。面对不断增长的电气化和智能化需求，客户不仅关注产品性能，也关注可靠性和上市时间。通过Treo平台等创新方案，我们基于统一的65nm BCD技术平台和可复用IP模块，加速电源管理、传感器接口和通信等多类产品开发，从而更高效地满足客户需求。

AI：面向智能汽车持续演进，芯片企业与整车厂之间的合作模式将如何变化？安森美如何加强与中国汽车产业的协同创新？

安森美：我们认为，未来车规芯片的竞争将从单点器件转向整车价值，因此，我们从汽车客户的真实需求出发，致力于通过系统级设计，把器件优势转化为整车层面的续驶、效率、安全和智能化价值，并通过协同设计加快落地。

具体而言，我们会依照以下方面展开布局。

第一，能源链路高压化、宽禁带化。以SiC为核心，结合GaN/vGaN等宽禁带技术在高频、高功率密度场景中的应用，支撑800V/900V及以上平台，并通过先进封装与热管理持续提升功率密度，支持电驱、OBC、DC-DC及关键高压负载应用。第二，电子电气架构向“中央计算+区域控制”集中。配电侧以eFuse/Smart FET实现软件可定义的智能保护与诊断，通信侧以10BASE-T1S将以太网延伸至边缘节点，减少对传统CAN/LIN架构的依赖。第三，边缘执行层“少MCU/无MCU化”。依托远程控制协议（RCP）构建“域控制器—RCP芯片—终端驱动”的扁平架构，显著降低硬件、开发与维护成本。第四，安全设计前置并平台化。依托SiCJFET等方案应对电池安全与高压断路，推动从分立方案走向平台化、一体化设计，从平台层面应对新能源车的核心安全挑战。

对于中国汽车与芯片产业的协同发展，核心在于从“单向供应”转向“双向定义”。芯片企业需深度融入本土创新生态，与车企协同定义下一代产品。安森美将通过强化本土研发与服务闭环，与中国伙伴共建技术底座，以“中国速度”驱动全球创新。