国内首颗：纳芯微推出面向线控转向与制动的车规级三相浮动栅极驱动器NSD366x-Q1系列

纳芯微 2026-11-07

纳芯微近日推出车规级三相浮动栅极驱动NSD366x-Q1系列，包括NSD3661-Q1与NSD3662-Q1两款产品。

纳芯微近日推出车规级三相浮动栅极驱动NSD366x-Q1系列，包括NSD3661-Q1与NSD3662-Q1两款产品。该系列集成三路浮动栅极驱动，面向N沟道MOSFET，支持4.5V至50V宽范围输入电压与0%至100%占空比驱动，内置带扩频调制的两级电荷泵，适用于电动助力转向（EPS）、线控制动系统的相关断（相位隔离）应用，也可用于三相固态继电器、三相高低边MOSFET驱动等场景。

NSD366x-Q1系列通过AEC-Q100 Grade 1认证，采用小尺寸HTSSOP16封装，仅需极少的外围器件，即可帮助底盘线控系统实现快速、可靠的固态安全关断。

可控相关断，守护底盘线控安全

随着汽车智能化的不断演进，底盘执行系统正加速向电控化、线控化发展。线控转向（SBW）与线控制动是这一趋势下的重要技术方向，也是实现高阶自动驾驶的关键技术基础。GB 17675-2025《汽车转向系基本要求》已于2026年7月1日起正式实施，明确允许全动力转向；GB 44721-2026《智能网联汽车自动驾驶系统安全要求》也已发布，拟于2027年7月1日实施。在更严苛的功能安全要求下，EPS/SBW系统需要在发生故障时快速、可靠地切断助力电机的转矩输出，防止非预期的转矩叠加。相比传统机械触点方案，基于MOSFET的相关断方案响应更快、寿命更长、体积更小，正成为线控底盘安全冗余设计的重要选择。

相关断控制器正是实现这一安全功能的专用执行单元，它通常布置在三相逆变桥与电机之间，由三个N沟道MOSFET（每相一个）及其栅极驱动电路构成独立的切断路径：在正常工作时，三相MOSFET完全导通，助力电流经其流通；当系统诊断出主控失效、传感器故障、通信中断等故障时，相关断控制器可在微秒级时间内关断三相MOSFET，从物理上切断助力电机的供电路径——使主驱动路径完全失效，有效避免非预期转矩输出。由于该路径独立于主控回路工作、不依赖任何单一部件的正常运转，因此成为冗余架构中实现更高功能安全等级的关键构件。

这一应用场景对核心器件提出了苛刻要求：在冷启动电压跌落及负载瞬态变化等情况下，栅极驱动电压须始终保持充足、稳定，以保证低内阻MOSFET可靠导通、降低导通损耗；关断指令须在微秒级完成执行，欠压等异常状态也须主动关断响应；每颗MOSFET的导通状态需可诊断，以防止隐性失效；同时，系统对待机功耗要求严苛，并须保证掉电状态下MOSFET不会误导通。NSD366x-Q1系列正是针对这些应用需求而设计。

纳芯微NSD366x-Q1系列单芯片集成三路浮动栅极驱动，内置电荷泵，可产生高于电源电压的稳定栅极驱动电压，直接驱动N沟道关断MOSFET，无需为每相单独配置驱动电路，即可实现三相MOSFET的独立驱动，显著简化相关断电路的结构与布局，助力系统以更低成本满足功能安全要求。

EPS/SBW相关断应用框图

封装与选型

纳芯微车规级三相浮动栅极驱动器NSD366x-Q1系列现已全面量产，该系列产品采用5.0mm×4.4mm的带散热焊盘的HTSSOP16封装，全系产品通过AEC-Q100 Grade 1认证。NSD3661-Q1支持4.5V至50V宽压输入，可实现全工况下的稳定驱动。面向功能安全应用，NSD366x-Q1系列内置多层次监测与保护机制。

进一步咨询NSD366x-Q1产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com；更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。

NSD366x-Q1系列选型表