镓仁半导体：铸造法8英寸氧化镓单晶衬底
2025-06-13
镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业纪录。
展位号：6006
产品创新亮点：
镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，也创造了从2英寸到8英寸，每年升级一个尺寸的行业纪录。
应用领域：功率器件，高压大电流低损耗MOSFET等
开发阶段：研发阶段
龚淑娟
李峥
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