安装面积仅3.3mm×3.3mm的车用MOSFET

罗姆介绍说，汽车用MOSFET为了保证质量，一般都采用安装面积为5mm×6mm的封装，尤其是要求高可靠性的发动机ECU用途，5mm×6mm 被视为小型化的极限。此次通过改良MOSFET芯片技术和封装技术，在确保可靠性的同时实现了小型化。另外，为了提高在印刷电路板上安装时的可靠性，采取了两个措施。一是采用该公司自主开发的端子结构，通过扩大端子宽度提高了接合强度。二是在栅极端子的中央部实施电镀处理，提高了焊料润湿性，将造成栅极端子脱落的焊接裂纹的发生几率降到了原来的一半以下。

此次的新产品为n沟道型，耐压为 40V，最大漏电流为±30A。导通电阻在栅-源间电压为 10V时为8.0mΩ(最大值)， 4.5V时为10.0mΩ(最大值)。总栅极电荷为32nC(标称值)，封装容许损耗为75W，保存温度范围为-55～ 175℃。2016年7月开始样品供货，2016年9月开始以月产400万个的规模量产。样品价格为500日元(不含税)。

此外，罗姆还在开发p沟道型产品——耐压为-45V的“AG001AHQ3”和-60V的“AG010ALQ3”。AG001AHQ3的最大漏电流为±30A，导通电阻在栅-源间电压为 10V时为41mΩ(最大值)， 4.5V时为58mΩ(最大值)，总栅极电荷为41nC(标称值)。AG010ALQ3的最大漏电流为±26A，导通电阻在栅-源间电压为 10V时为75mΩ(最大值)， 4.5V时为90mΩ(最大值)，总栅极电荷为29nC(标称值)。投放市场的时间未公布。