瞻芯电子：1200V13mQ SiCMOSFET
2025-06-13
在175°℃,导通电阻Ron仅升至1.42倍(Vgs=15V)/1.65倍(Vgs=18V)
展位号：6008
产品创新亮点：
1.源漏耐压：1200V
2.驱动电压为15V~18V
3.核心参数Rsp=2.5mΩ·cm2
4.开关损耗降低30%以上
5.在175°℃,导通电阻Ron仅升至1.42倍(Vgs=15V)/1.65倍(Vgs=18V)
6.AEC-Q101认证通过
应用领域：主驱功率模块
开发阶段：量产
龚淑娟
李峥
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作者：
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