英飞凌将在欧洲建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体大规模量产基地

英飞凌 2026-10-29

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司将在欧洲设立全球首座采用300 mm晶圆制程生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产制造工厂。

-将于奥地利菲拉赫基地投资约11亿欧元，强化其作为全球功率半导体技术能力中心的地位

-以下一代功率半导体满足市场对高能效芯片日益增长的需求，应用范围涵盖AI数据中心、能源基础设施、电动出行及机器人

-将根据市场需求逐步提升产能

-获得《欧洲芯片法案》框架下3.19亿欧元的资金支持，强化技术自主性

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司将在欧洲设立全球首座采用300 mm晶圆制程生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产制造工厂。作为该计划的一部分，英飞凌将在2034年前，对奥地利菲拉赫（Villach）基地的既有洁净室设施投资约11亿欧元。通过充分利用现有及升级后的基础设施，英飞凌将能以高效且具成本效益的方式扩大产能。该制造工厂预计于2027年底前开始投产。这项投资的目的是应对高性能供电解决方案快速增长的需求。氮化镓可显著提升包括AI数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子在内多种应用的能源效率。

英飞凌奥地利菲拉赫基地

英飞凌是氮化镓功率电子领域的领导者。两年前，英飞凌成功完成全球首次300 mm氮化镓晶圆生产，取得了重要技术突破。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的芯片生产技术更先进，生产效率也大幅提升，其更大的晶圆直径使单片晶圆的芯片产出数量可达到200 mm晶圆的2.3倍。目前，英飞凌正将这项创新技术引入全球首座面向客户的大规模量产基地。

300 mm晶圆上的下一代氮化镓（GaN）功率半导体

这项首创技术的投资计划获得了《欧洲芯片法案》支持。欧盟委员会已核准奥地利政府提供3.19亿欧元补助，奥地利联邦经济事务部、能源部和旅游部预计将于规定期限内完成正式核定。借由核准该部提供的补助，欧盟委员会不仅将扩充欧洲的制造产能，也将为相关产业带来积极的带动效应，例如促进与大学及研究机构的跨域合作，并改善初创企业与中小企业获取创新技术及产品的机会。

氮化镓是一种先进的半导体材料，能以更高的效率实现电力的开关与转换，进而实现尺寸更小、性能更强、能效更高的电子系统，同时减少能源损耗与发热。分析师预估，到2031年，氮化镓功率半导体市场规模将增长至约35亿美元，2025至2031年的复合年增长率约为35%。^[2]

内容来源：英飞凌

责任编辑：龚淑娟

审　　核：李峥