近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。

碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目，凭借其优良的高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点，使得碳化硅模块具有显著的高效率、高压、高工作温度的优势，在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。

智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领，广泛与中央企业、高等院校开展合作，从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节，实现关键核心技术的自主掌控。目前，碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项，参与行业标准制定2项。

该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。

智新半导体成立4年来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项，并获得湖北省“高新技术企业”认证，武汉市专精特新“小巨人”企业认定。