英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管

2009年2月18日，德国Neubiberg和美国华盛顿特区讯——率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体全球领先供应商英飞凌科技股份有限公司（FSE/NYSE： IFX），近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。

相对于第二代产品，英飞凌全新的SiC肖特基二极管的器件电容降低约40%，因此减少了开关损耗。例如，工作频率为250 kHz的1kW功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件（如电感和电容器），实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求，从而降低系统成本，提高可靠性。英飞凌期望将某些SMPS应用的系统成本降低20%。

英飞凌工业及多元化电子市场部高压MOS业务负责人Andreas Urschitz指出：“英飞凌在全球范围内率先提供SiC肖特基二极管，于2001年推出首批产品。近8年来，英飞凌在多个方面对碳化硅肖特基二极管技术进行了众多重大改进，例如浪涌电流稳定性、开关性能和产品成本，使SiC技术惠及更多应用，并且降低了解决方案成本。SiC是一种真正的创新技术，有助于对抗全球气候变化，推动太阳能和节能照明系统市场发展。它充分说明了英飞凌在电源管理市场的领导地位和致力于在该市场发展的坚定承诺。”

供货、封装与定价
英飞凌第三代 thinQ! SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A）产品和采用 TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和 15 A）。产品样品于2009年1月开始提供，预计在2009年早春开始批量生产。阻断电压为600V（3A）的第三代 SiC肖特基二极管在订购量达到万片时的单价为0.61欧元（0.85美元）。电流为4A的产品在订购量达到万片时的单价为0.85欧元（1.19美元），电流为8 A的产品在订购量达到万片时的单价为1.89欧元（2.65美元）。

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