我国电子元器件领域“十一五”发展重点

发布时间:2010-08-04
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  我国电子信息产业由电子信息产品制造业和软件业构成,电子信息产品制造业是最具活力的科技创新领域之一,其规模占整个电子信息产业的90%左右,是我国信息化建设的关键支撑,是推动经济增长的重要引擎。而制造业在整个电子信息产品制造业中也占据着重要位置。  

  “”时期,是我国信息产业实现强国战略的重要起步期。电子信息产业主要是围绕从规模速度型向创新效益型转变的发展思路,加强自主创新,提升产业技术水平;优化产业发展环境,加快产业结构调整;壮大核心基础产业,延伸完善产业链;培育一批骨干企业和知名品牌,提高产业竞争能力。主要任务是大力发展核心基础产业,重点培育新的产业群,积极推进产业集聚式发展。 

  在电子元器件方面,力争使集成电路、新型元器件等核心产业的规模翻两番,产业链进一步向上游延伸,元器件、材料、专用设备国内配套能力得到显著增强,集聚优势资源,形成一批在全球具有特色和影响力的产业基地和产业园,以及一批效益突出、国际竞争力较强的优势企业。  

  集成电路  

  在集成电路领域,我国

对外依存度一直很高,CPU、DSP、存储器、手机基带芯片等计算机、移动通信、音视频等主流整机产品所需的高端芯片主要依赖进口,贸易逆差持续扩大。2005年我国集成电路的贸易逆差高达672.7亿美元,同比增长50%,集成电路关键装备基本依赖国外。因此,“十一五”期间,我国集成电路领域的是完善集成电路产业链,通过设计、芯片制造、封装检测、关键装备和基础材料各环节的协调发展,建立起植根于国内、具有核心竞争力的产业体系。  

  要优先发展集成电路设计业,重点发展通用的、新结构的CPU、DSP、数/模、模/数转换器、存储器、可编程器件等核心关键芯片。在SOC核心芯片设计、SOC设计方法和设计自动化等领域集中部署一批对SOC发展起支撑作用的原创研究和关键技术研究,积极研发下一代集成电路设计工具,开发一批关键可复用IP核产品,产生一批集成电路设计领域的专利、标准和专有技术,提升我国集成电路设计业的自主创新能力。  

  积极发展集成器件制造(IDM)模式,鼓励新一代芯片生产线建设,推动现有生产线的技术升级。在集成电路制造工艺方面,要重点发展面向8~12英寸圆片的90纳米、65纳米、45纳米大生产工艺技术、特种工艺技术,形成工艺自主开发能力,开发新型集成电路封装技术及产品,积极采用新型封装测试技术,重点发展球栅阵列(BGA)、针栅阵列(PGA)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)、系统级封装(SIP)等高密度封装技术。在半导体集成电路制造装备方面,着力在关键核心设备上集中投入,形成突破,赢得装备发展的主动权。  

  预计到2010年,我国集成电路制造业大生产技术将达到12英寸、90~65纳米;封装测试业进入国际主流领域,实现BGA、SIP、CSP、MCM等新型封装形式的规模生产能力,部分关键技术装备、材料将取得突破。集成电路设计业具备采用届时国际最先进大生产工艺进行产品设计,支撑网络通信、信息安全和数字家电等关键电子信息产品自主发展的能力,在设计方法学和设计工具的部分领域取得突破性进展。  

  元器件  

  随着全球信息技术从模拟向数字转变,电子元器件正面临着升级换代,新型平板显示器件正在逐步替代CRT,微型化、高性能等片式元器件正逐步替代传统器件。 

  然而,我国国内整机产品所需的新型元器件还大量依赖进口,贸易逆差在逐步加大。因此,“十一五”期间,要继续巩固我国在传统元器件领域的优势,坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合,加快新型元器件的研发和产业化。重点发展平板显示器件及其他片式化、微型化、集成化、高性能、绿色环保的新型元器件。  

  在平板显示器件方面,要优先发展TFT-LCD和PDP,促进研发和产业化的结合,提高自主创新能力。支持建设第六代以上TFT-LCD面板生产线,加快国内关键配套件的开发与产业化进程,力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破;重点发展42英寸以上PDP显示屏、驱动电路及模块,掌握规模量产技术,建设PDP显示屏及模块生产线,鼓励引导设备和专用材料的开发和国产化。  

  积极组织OLED/PLED、SED器件和模块的基础技术研发,掌握部分关键技术,为产业化奠定基础;积极发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用OLED显示屏,力争满足国内市场需求。加快传统彩管产业战略转移,积极发展高清晰度、短管颈等高端彩管产品。  

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