NI推出首款基于PXI的源测量单元和业界最高密度的PXI开关模块全新高精度直流产品把PXI平台功能延伸至半导体测试领域

发布时间:2010-07-13
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新闻发布——2008 年2月――美国国家仪器有限公司(National Instruments, 简称NI)宣布正式发布其第一款基于PXI的源测量单元(source measure unit,SMU)和业界最高密度的PXI开关模块。这两款产品将PXI平台的应用延伸至高精密度直流测试领域,如半导体参数测试及电子设备器件的验证。工程师们可以同时使用这两款模块在多管脚设备上扫描电压和电流的特征参数,相比传统的方式,具有轻便小巧、性价比高的优点。

NI PXI-4130源测量单元是一款可编程、灵活、高功率且适合高精度直流测试应用的3U PXI模块。其相互隔离的SMU通道,可提供包含4线遥感的四象限±20 V输出。该通道在象限I和象限III中的源极功率高达40W,在象限II和象限IV中的漏极功率高达10W。NI PXI-4130电源测试单元还有一个额外的电压、电流输出/测试通道,并在一个单槽的PXI模块上实现了电源功能。鉴于共有5个可电流范围提供达1 nA的测量分辨率,因此PXI-4130非常适用于需要编程实现扫描源(电压/电流)并且测试其参数的场合,比如在高精度的测试验证以及半导体测试领域。

"很高兴看到模拟技术的发展和基于FPGA架构的应用可以实现在如此之小的体积上发挥出卓越的性能" NI测量技术总监Ken Reindel这样说道。 "NI PXI-4130源测量单元是一个在高精度、高功率和小体积特性上的典范,让工程师可以在新的应用领域享有PXI平台带来的种种优势" 。

NI PXI-2535和NI PXI-2536超高密度模块可提供544交叉点——可在单槽、3U PXI模块上实现最大的矩阵密度。NI PXI-2535和NI PXI-2536分别配置为4x136 1线式矩阵和8x68 1线式矩阵。两款模块都是建立在场效应晶体管(field effect transistor,FET)技术之上,该技术带来诸多优势,包括:无限机械寿命、无限同步连接以及高达50,000次/秒的切换速度。这些优势使这两款产品非常适合在批量生产设备(如:半导体芯片和印刷电路板)的验证测试中来切换低功率的直流信号。两款新产品与NI Switch Executive开关管理软件同时使用还能帮助工程师们实现的简化配置和代码重用。

NI PXI-4130电源测试单元和两款高密度开关模块丰富了现有的PXI仪器平台,并可帮助工程师们进行半导体原件验证相关测试,包括高速数字设备、混合信号仪器及射频设备。当在一个PXI系统中同时使用这些设备,它们可以提供高度灵活的解决方案,无论是半导体结构和功能验证测试还是电子元件特征测试。这3款产品均对NI TestStand测试管理软件、NI LabVIEW图形化开发环境、NI
Signalexpress、NI LabWindows /CVI和NI Measurement Studio提供支持。

了解更多NI PXI平台信息,请访问:ni.com/china/pxi。

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