安森美半导体扩充汽车应用的极低静态电流低压降稳压器系列

2008年8月21日 – 全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)为了满足需要极低熄火电流的汽车电子模块的应用需求，扩充低压降(LDO)线性稳压器产品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通过了AEC-Q100规范认证，且工作温度范围极宽，并且高度结合板载功能，典型静态电流(Iq)低至22 μA。

安森美半导体的这些新的极低Iq LDO可以连接电池，提供精确的3.3 V和5.0 V输出电压和高达  350 mA的输出电流，具有板载保护功能，并具有上电复位和延迟时间选择功能的器件。汽车系统电源模块在车辆熄火时需要满足严苛的电流消耗标准，安森美半导体的LDO非常适合这类应用，设计人员使用这些LDO将模块中稳压部分的Iq减至最小，便能分配更多的电流给更高端的设计元件，包括微处理器及控制器区域网络(CAN)和本地互连网络(LIN)网络元件。

新的NCV8660和NCV8665系列提供精确的3.3 V和5.0 V输出电压及150 mA的输出电流能力。这两款器件都提供上电复位和延迟时间选择功能，典型Iq 分别为28 μA和30 μA。此外，公司还推出新版本的NCV8664，这器件同样提供150 mA输出电流，典型Iq仅为22 μA，并能在不需要集成上电复功能的设计中提供3.3 V或5.0 V的稳压输出。

对于需要高达350 mA输出电流的应用，新的NCV8674和NCV8675系列均提供3.3 V和5.0 V输出选项，典型Iq分别为27 μA和34 μA。NCV8675包括上电复位功能，可以选择复位延迟时间。

所有这些新器件工作时的输出电压精度为±2.0%，并结合了多种板载保护功能。NCV8664、NCV8665、NCV8674和NCV8675具备电池反向保护、短路保护和热过载保护等特性，而NCV8660提供内部短路保护和热关机保护。这些LDO能够承受直接电池连接所固有的输入电压瞬态，无需中间转换或保护器件; 而工作温度范围为-40℃至150℃，明显较市场上许多其它低Iq LDO 优胜。