陶氏化学公司近日宣布陶氏首尔技术中心正式落成。该中心占地23700m2,是陶氏化学的全球研发中心,着重推动显示器和半导体相关应用的技术进步,这也是陶氏在亚洲的重要投资举措之一。
包括这一新的研发中心在内,陶氏近十年来在韩国投资超过4亿美元,旨在建立半导体、显示器和LED的先进生产基地,并拓展电子材料领域的业务。
陶氏首尔技术中心的研发重点领域包括光刻机、有机发光二极管(OL ED)、显示材料、高级芯片封装,全力支持陶氏的业务增长。该中心将成为陶氏OLED研发的全球中心所在,并配备尼康193纳米沉浸式扫描仪和300纳米机台设备,陶氏化学电子材料业务部门因此成为世界上唯一一个在韩国拥有193i应用开发设备的抗光阻供应商。陶氏在韩国天安的设施还拥有一部193纳米的干式扫描仪,这样的投资组合使陶氏极大缩短了产品开发周期和制造时间,从而满足客户的更高要求。
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