罗姆交流学习会在京举办

作者：本网编辑发布时间：2015-01-26

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2014年12月2日,全球知名的半导体制造商罗姆半导体在清华大学举办了以SiC（碳化硅）功率元件技术动向和罗姆的SiC功率元器件产品为主题的交流学习会.

2014年12月2日，全球知名的半导体制造商罗姆半导体在清华大学举办了以“SiC（碳化硅）功率元件技术动向和罗姆的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。罗姆半导体（深圳）有限公司分立元器件部高级经理水原德健先生到会并向与会嘉宾介绍了罗姆半导体在SiC产品方面的开发进度与应用实例。

水原德健先生在会上介绍道：“目前比较常见的由硅原料制成的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在低频工作环境中效率较高，但在高频条件下，其效率便会明显下降；而由SiC制作的金属-氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）则在高频和高电压条件下表现出很高的工作效率。罗姆半导体未来的开发方向是开发更高电压且更高效的SiC产品以满足交通、工业和能源等行业对半导体功率元器件效率方面的需求。”

目前，罗姆半导体的SiC产品在交通运输行业主要应用于电动汽车、混合动力汽车和电气化高速铁路等。“SiC产品的开关损耗和导通损耗都很低，对于提高新能源汽车的续航能力有很大帮助。当今，中国的电动汽车行业正在飞速发展，我们希望通过与中国汽车企业的合作，进一步推广SiC产品。” 水原德健先生表示。