2015年6月24日，全球知名的半导体制造商罗姆公司(以下简称“ROHM”)在北京举办新品发布活动。在本次活动中，ROHM重点介绍了其首创的采用沟槽结构的SiC-MOSFET(沟槽型SiC-MOSFET)。ROHM表示已经建立了具备优秀工艺的全套生产设备，并将很快实现对沟槽型SiC-MOSFET的批量化生产。

与已经实现量产的平面型SiC-MOSFET相比，在芯片尺寸相同的情况下，沟槽型SiC-MOSFET具有更好地导通性，同时提高了开关性能，这些特性将大幅降低采用这种产品的元器件的损耗。沟槽型SiC-MOSFET可帮助电动汽车充电设备和电动汽车本身降低能耗、提高效率、简化电路规模并实现小型化。

采用沟槽结构，实现低导通电阻

ROHM还采用了双沟槽的布置，从而缓和Gate Trench周围的电场，保护栅极免受冲击。沟槽型SiC-MOSFET是ROHM相关产品的第三代，与第二代的平面型SiC-MOSFET相比，同等尺寸的产品，沟槽型SiC-MOSFET的开关性能和导通损耗都更具优势。经测量，沟槽型SiC-MOSFET相比平面型SiC-MOSFET，其导通电阻降低了50%、输入电容也降低了35%。

在汽车领域中的应用

SiC-MOSFET主要用于缩小功率元件的体积、简化外围电路并提高其工作效率。“在电动汽车当中，电动机驱动器、逆变器和整流器等设备的能耗水平和效率直接影响着电动汽车的续航里程。沟槽型SiC-MOSFET以出色的开关性能和更低的功耗帮助电动汽车节约动力电池的电量，增加续航里程。”ROHM半导体(深圳)有限公司分立元器件部高级经理水原德健先生介绍说。

ROHM看到了中国的电动汽车发展前景和巨大市场，并大力为中国相关企业提供驱动器、转换器、供电和充电领域的元器件和技术支持。水原德健先生强调说：“我们即将从2015年10月起陆续实现对650 V和1 200 V沟槽型SiC-MOSFET的量产，这些产品可以满足几乎全部家用电动汽车和大部分电动公交车对驱动、充电功率的要求;日后ROHM还将继续开发1 700 V的产品以满足大型电动市政用车和大型电动载重车的相关需求。”