2016年9月22日，芯科科技Silicon Labs宣布推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管（FET）驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器（SR）。新型Si875x系列产品是业内首款隔离型FET驱动器，设计旨在利用集成的CMOS隔离栅传输电源，这消除了通常所需的隔离的次级侧开关电源，减少了系统成本和复杂性。当与分立FET搭配时，Si875x驱动器提供业内一流的EMR/SSR替代解决方案，适用于电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、交流干线与通信交换机、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车应用等。

开发人员传统上在开关应用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且这两种技术都有局限性。EMR是昂贵、慢速、笨重和产生噪声的，EMR的这些劣势导致SSR的使用上有两位数增长率，但是即使这样也面临诸多挑战。基于光耦合器的SSR有固有的限制，例如由于LED老化而导致更短使用寿命、更高温度时降低性能和可靠性、较差的噪声抗干扰性。另外，它们也只能选择受限的集成FET，进一步损害了性能、成本和功耗。

Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔离型FET驱动器提供了更好的选择，能够为使用SSR或EMR的应用降低系统成本和功耗，增强系统性能。因为Si875x驱动器不使用LED或光学元件，它们提供整个使用寿命和温度范围的极佳稳定性。极小封装的Si875x器件提供完全无声的开关特性，这使得它们成为笨重EMR的理想替代解决方案，这些EMR通常受限于电子开关噪声、老化问题，以及量产带来的挑战问题。

Si875x器件通过使用标称10.3V、极低1mA输入电流和1.1ms响应时间来驱动FET门。增加输入电流到10mA可实现极快的94µs接通时间。独特的电源优化选项能够快速获得最大导通电流，然后一旦可选的外部电容放电时，静态保持电流最多可降低到最大导通电流的90%。灵活的2.25至5.5V的输入侧电压支持平滑连接到低功率控制器。Si875x驱动器也具有可选的米勒钳位能力，防止外部FET的意外开启。

Si875x器件具有2.5kVrms隔离等级，能够在整个工业和汽车级温度范围（高达+125℃）进行操作，设计符合严格的UL、CSA、VDE、CQC标准。多功能输入提供数字CMOS引脚控制(Si8751器件)或二极管仿真(Si8752器件)，能够很好的适应目标应用，并且灵活的输出支持AC和DC负载配置。

Silicon Labs电源产品副总裁Ross Sabolcik表示：“凭借独一无二的将功能强大、可靠的基于CMOS的隔离技术和通过隔离栅传输电源整合的创新能力，Silicon Labs的Si875x驱动器为陈旧的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解决方案。新型Si875x家族产品为开发人员选择应用所需的具有成本效益的FET提供了极大灵活性，也为最先进的固态开关带来最简单的迁移方案。”

Si875x隔离型FET驱动器系列产品优势特点：

1.业内首款基于CMOS的隔离型SSR解决方案，支持特定应用的FET。

2.一流的噪声抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔离等级。

3.高压条件下长使用寿命（1000V条件下可达100年）。

4.高效开关：10.3V门电压，仅仅1mA输入电流。

5.可在2.25 ～ 5.5V宽输入电压可实现节能。

6.独特引脚特性可在功耗/开关时间之间优化权衡。

7.米勒钳位防止外部FET意外开启。

8.小型SOIC-8封装，集成了隔离和用于低功耗应用的功率电容器。

9.AEC-Q100认证的汽车级器件选项。