2018年12月12日，横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）在IEDM2018国际电子器件展会上，公布了内置嵌入式相变存储器（ePCM）的28nm FD－SOI汽车微控制器（MCU）技术的架构和性能基准，并从现在开始向主要客户提供基于ePCM的微控制器样片，预计2020年按照汽车应用要求完成现场试验，取得全部技术认证。这些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，将被用于汽车传动系统、先进安全网关、安全／ADAS系统以及车辆电动化。

随着汽车系统的要求越来越高，提升处理能力、节能降耗、更大存储容量等需求迫使微控制器厂商开发新的车用MCU架构。随着固件复杂性和代码量骤然大幅提高，对容量更大的嵌入式存储器的需求是当前汽车工业面临的最大挑战之一。ePCM解决方案可以克服这些芯片级和系统级的挑战，满足AEC－Q100 0级汽车标准的要求，最高工作温度达到＋165℃。此外，意法半导体的ePCM技术保证在高温回流焊工序后固件／数据保存完好，并且抗辐射，为数据提供更多的安全保护。

在12月4日旧金山2018年IEDM（国际电子器件）展会上，意法半导体以一个28纳米FD－SOI汽车微控制器的16MB EPCM阵列为例，介绍了其嵌入式相变存储器在架构和性能方面取得的最新进展。

意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示：“通过应用ST的制造工艺、设计、技术和专长，我们开发出一个创新的ePCM解决方案，成为首家有能力整合这种非易失性存储器与28nmFD－SOI工艺，研制高性能的低功耗汽车微控制器的厂商。现在样片已经送到部分主要客户手中，我们正在与客户确认ePCM优异的温度性能和满足所有汽车标准的能力，积极的反馈意见进一步加强了我们对其应用普及和市场成功的信心。

技术细节

相变存储器（PCM）是采用锗锑碲（GST）合金制成，利用材料的物理性质在非晶态和晶态之间的快速热控变化来存储数据。非晶态对应逻辑0，晶态对应逻辑1，这两种状态在导电性质上存在差异，非晶态电阻高（逻辑0），晶态电阻低（逻辑1）。另外，闪存重写数据需要至少一次字节或扇区擦写操作，而PCM技术支持单个数据位修改，从而简化了数据存储过程中的软件处理环节。意法半导体的相变存储器得益于其与存储单元和支持高温数据保存的GST合金相关的专利技术。